У параўнанні з прыладамі з карбіду крэмнію, прылады харчавання з нітрыду галію будуць мець больш пераваг у сцэнарыях, дзе адначасова патрабуюцца эфектыўнасць, частата, аб'ём і іншыя комплексныя аспекты, напрыклад, прылады на аснове нітрыду галію паспяхова прымяняюцца ў галіне хуткай зарадкі на вялікі маштаб. Чакаецца, што ў сувязі са з'яўленнем новых прыкладанняў у далейшым і бесперапынным прарывам у тэхналогіі падрыхтоўкі падкладкі з нітрыду галію аб'ём прылад GaN будзе працягваць павялічвацца і стане адной з ключавых тэхналогій для зніжэння выдаткаў і павышэння эфектыўнасці, устойлівага экалагічнага развіцця.
У цяперашні час трэцяе пакаленне паўправадніковых матэрыялаў стала важнай часткай стратэгічных галін прамысловасці, якія развіваюцца, а таксама становіцца стратэгічным камандным пунктам, каб захапіць наступнае пакаленне інфармацыйных тэхналогій, энергазберажэння і скарачэння выкідаў і тэхналогій бяспекі нацыянальнай абароны. Сярод іх нітрыд галію (GaN) з'яўляецца адным з найбольш рэпрэзентатыўных паўправадніковых матэрыялаў трэцяга пакалення як шыроказонны паўправадніковы матэрыял з забароненай зонай 3,4 эВ.
3 ліпеня Кітай узмацніў экспарт тавараў, звязаных з галіем і германіем, што з'яўляецца важнай карэкціроўкай палітыкі, заснаванай на важнай якасці галію, рэдкага металу, як "новага зерня паўправадніковай прамысловасці", і яго шырокіх перавагах прымянення ў паўправадніковыя матэрыялы, новая энергетыка і іншыя галіны. У сувязі з гэтай зменай палітыкі ў гэтым артыкуле будуць абмяркоўвацца і аналізавацца нітрыд галію з пункту гледжання тэхналогіі падрыхтоўкі і праблем, новых кропак росту ў будучыні і канкурэнцыі.
Кароткае ўвядзенне:
Нітрыд галію - гэта разнавіднасць сінтэтычнага паўправадніковага матэрыялу, які з'яўляецца тыповым прадстаўніком трэцяга пакалення паўправадніковых матэрыялаў. У параўнанні з традыцыйнымі крэмніевымі матэрыяламі нітрыд галію (GaN) мае такія перавагі, як вялікая шырыня забароненай зоны, моцнае электрычнае поле прабоя, нізкае супраціўленне ўключэння, высокая рухомасць электронаў, высокая эфектыўнасць пераўтварэння, высокая цеплаправоднасць і нізкія страты.
Монакрышталь нітрыду галію - гэта новае пакаленне паўправадніковых матэрыялаў з выдатнымі характарыстыкамі, якія могуць быць шырока выкарыстаны ў галіне сувязі, радараў, бытавой электронікі, аўтамабільнай электронікі, энергетыкі, прамысловай лазернай апрацоўкі, прыбораў і іншых галінах, таму яго распрацоўка і масавая вытворчасць у цэнтры ўвагі краін і галін па ўсім свеце.
Прымяненне GaN
1--базавая станцыя сувязі 5G
Інфраструктура бесправадной сувязі з'яўляецца асноўнай вобласцю прымянення радыёчастотных прылад з нітрыду галію, на якую прыпадае 50%.
2 - крыніца магутнасці
Функцыя "падвойнай вышыні" GaN мае вялікі патэнцыял пранікнення ў высокапрадукцыйныя спажывецкія электронныя прылады, якія могуць адпавядаць патрабаванням хуткай зарадкі і сцэнарыяў абароны ад зарадкі.
3 - Аўтамабіль з новай энергіяй
З пункту гледжання практычнага прымянення сучасныя паўправадніковыя прыборы трэцяга пакалення ў аўтамабілях у асноўным з'яўляюцца прыладамі з карбіду крэмнію, але ёсць прыдатныя матэрыялы з нітрыду галію, якія могуць прайсці сертыфікацыю аўтамабільных правілаў для модуляў сілавых прылад або іншыя прыдатныя метады ўпакоўкі. па-ранейшаму прымаецца ўсім заводам і вытворцамі OEM.
4 - Цэнтр апрацоўкі дадзеных
Сілавыя паўправаднікі GaN у асноўным выкарыстоўваюцца ў блоках харчавання БП у цэнтрах апрацоўкі дадзеных.
Падводзячы вынік, чакаецца, што з успышкай новых прыкладанняў у далейшым і бесперапыннымі прарывамі ў тэхналогіі падрыхтоўкі падкладкі з нітрыду галію аб'ём прылад GaN будзе працягваць павялічвацца і стане адной з ключавых тэхналогій для зніжэння выдаткаў і эфектыўнасці, а таксама для ўстойлівага экалагічнага развіцця.
Час публікацыі: 27 ліпеня 2023 г