12-цалевая падкладка з карбіду крэмнію, дыяметр 300 мм, таўшчыня 750 мкм, тып 4H-N можна наладзіць

Кароткае апісанне:

У крытычны момант пераходу паўправадніковай прамысловасці да больш эфектыўных і кампактных рашэнняў з'яўленне 12-цалевай падкладкі з карбіду крэмнію (12-цалевай падкладкі з карбіду крэмнію) кардынальна змяніла ландшафт. У параўнанні з традыцыйнымі 6-цалевымі і 8-цалевымі спецыфікацыямі, перавага вялікага памеру 12-цалевай падкладкі павялічвае колькасць вырабленых чыпаў на пласціне больш чым у чатыры разы. Акрамя таго, сабекошт адзінкі 12-цалевай падкладкі з карбіду крэмнію зніжаецца на 35-40% у параўнанні з традыцыйнымі 8-цалевымі падкладкамі, што мае вырашальнае значэнне для шырокага распаўсюджвання канчатковых прадуктаў.
Выкарыстоўваючы нашу запатэнтаваную тэхналогію росту з дапамогай газавага транспарту, мы дасягнулі найлепшага ў галіны кантролю над шчыльнасцю дыслакацый у 12-цалевых крышталях, што забяспечвае выключную матэрыяльную аснову для наступнай вытворчасці прылад. Гэта дасягненне асабліва важнае на фоне цяперашняга глабальнага дэфіцыту чыпаў.

Ключавыя сілавыя прылады ў паўсядзённым ужыванні, такія як станцыі хуткай зарадкі электрамабіляў і базавыя станцыі 5G, усё часцей выкарыстоўваюць гэтую падкладку вялікага памеру. Асабліва ў умовах высокай тэмпературы, высокага напружання і іншых жорсткіх эксплуатацыйных умоў 12-цалевая падкладка з карбіду крэмнію дэманструе значна лепшую стабільнасць у параўнанні з матэрыяламі на аснове крэмнію.

Дашліце нам ліст

Падрабязнасці прадукту

Тэгі прадукту

Тэхнічныя параметры

Спецыфікацыя 12-цалевай падкладкі з карбіду крэмнію (SiC)
Клас		Вытворчасць ZeroMPD Клас (клас Z)	Стандартная вытворчасць Адзнака (адзнака P)		Фіктивны клас (Ацэнка D)
Дыяметр		3 0 0 мм~1305 мм
Таўшчыня	4H-N	750 мкм ± 15 мкм	750 мкм ± 25 мкм
	4H-SI	750 мкм ± 15 мкм	750 мкм ± 25 мкм
Арыентацыя пласціны		Па-за воссю: 4,0° у напрамку <1120 >±0,5° для 4H-N, па восі: <0001>±0,5° для 4H-SI
Шчыльнасць мікратруб	4H-N	≤0,4 см-2	≤4 см-2		≤25 см-2
	4H-SI	≤5 см-2	≤10 см-2		≤25 см-2
Супраціўленне	4H-N	0,015~0,024 Ом·см			0,015~0,028 Ом·см
	4H-SI	≥1E10 Ом·см			≥1E5 Ом·см
Асноўная арыентацыя кватэры		{10-10} ±5,0°
Даўжыня асноўнай плоскай паверхні	4H-N	Няма дадзеных
	4H-SI	Выемка
Выключэнне па краях		3 мм
LTV/TTV/Лук/Дэфармацыя		≤5 мкм/≤15 мкм/≤35 мкм/≤55 мкм			≤5 мкм/≤15 мкм/≤35 □ мкм/≤55 □ мкм
Шурпатасць		Польскі Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,2 нм			Ra≤0,5 нм
Краёвыя расколіны пад уздзеяннем высокаінтэнсіўнага святла Шасцігранныя пласціны з дапамогай высокаінтэнсіўнага святла Палітыпныя зоны пад уздзеяннем святла высокай інтэнсіўнасці Візуальныя ўключэнні вугляроду Драпіны на крэмніевай паверхні ад высокаінтэнсіўнага святла		Няма Агульная плошча ≤0,05% Няма Агульная плошча ≤0,05% Няма			Сукупная даўжыня ≤ 20 мм, адзінкавая даўжыня ≤ 2 мм Агульная плошча ≤0,1% Агульная плошча ≤3% Агульная плошча ≤3% Агульная даўжыня ≤1 × дыяметр пласціны
Краёвыя сколы ад высокаінтэнсіўнага святла		Не дапускаецца шырыня і глыбіня ≥0,2 мм			7 дапускаецца, ≤1 мм кожны
(TSD) Вывіх шрубы з разьбой		≤500 см-2		Няма дадзеных
(BPD) Дыслакацыя базавай плоскасці		≤1000 см-2		Няма дадзеных
Забруджванне паверхні крэмнію высокаінтэнсіўным святлом		Няма
Упакоўка		Касета для некалькіх пласцін або кантэйнер для адной пласціны
Заўвагі:
1 Абмежаванні на дэфекты распаўсюджваюцца на ўсю паверхню пласціны, за выключэннем зоны выключэння краёў. 2Драпіны трэба правяраць толькі на паверхні Si. 3 Дадзеныя па дыслакацыях атрыманы толькі з пласцін, пратраўленых KOH.

Асноўныя характарыстыкі

1. Вытворчыя магутнасці і перавагі ў кошце: Масавая вытворчасць 12-цалёвай падложкі з карбіду крэмнію (12-цалёвай падложкі з карбіду крэмнію) адкрывае новую эру ў вытворчасці паўправаднікоў. Колькасць чыпаў, якія можна атрымаць з адной пласціны, дасягае ў 2,25 раза большай, чым з 8-цалёвых падложак, што непасрэдна прыводзіць да скачка ў эфектыўнасці вытворчасці. Водгукі кліентаў паказваюць, што ўкараненне 12-цалёвых падложак знізіла выдаткі на вытворчасць сілавых модуляў на 28%, стварыўшы вырашальную канкурэнтную перавагу на жорсткім рынку.
2. Выдатныя фізічныя ўласцівасці: 12-цалевая падкладка з карбіду крэмнію мае ўсе перавагі карбіду крэмнію — яе цеплаправоднасць у 3 разы вышэйшая за крэмній, а напружанасць прабойнага поля дасягае 10 разоў вышэйшай за крэмній. Гэтыя характарыстыкі дазваляюць прыладам на аснове 12-цалевых падкладак стабільна працаваць у асяроддзях з высокай тэмпературай, якая перавышае 200°C, што робіць іх асабліва прыдатнымі для патрабавальных ужыванняў, такіх як электрамабілі.
3. Тэхналогія апрацоўкі паверхні: Мы распрацавалі новы працэс хіміка-механічнай паліроўкі (CMP) спецыяльна для 12-цалевых падложак з карбіду крэмнію, які дазваляе дасягнуць плоскасці паверхні на атамным узроўні (Ra < 0,15 нм). Гэты прарыў вырашае сусветную праблему апрацоўкі паверхні пласцін карбіду крэмнію вялікага дыяметра, ліквідуючы перашкоды для высакаякаснага эпітаксіяльнага росту.
4. Характарыстыкі цеплавога кіравання: На практыцы 12-цалевыя падложкі з карбіду крэмнію дэманструюць выдатныя магчымасці цеплааддачы. Выпрабаванні паказваюць, што пры аднолькавай шчыльнасці магутнасці прылады з 12-цалевымі падложкамі працуюць пры тэмпературах на 40-50°C ніжэй, чым прылады на аснове крэмнію, што значна падаўжае тэрмін службы абсталявання.

Асноўныя сферы прымянення

1. Новая экасістэма энергетычнага транспартнага сродку: 12-цалевая падкладка з карбіду крэмнію (12-цалевая падкладка з карбіду крэмнію) рэвалюцыянізуе архітэктуру сілавых агрэгатаў электрамабіляў. Ад бартавых зарадных прылад (OBC) да галоўных прывадных інвертараў і сістэм кіравання акумулятарамі, павышэнне эфектыўнасці, якое прынесла 12-цалевая падкладка, павялічвае запас ходу аўтамабіля на 5-8%. Паведамленні вядучага аўтавытворцы паказваюць, што выкарыстанне нашых 12-цалевых падкладак знізіла страты энергіі ў іх сістэме хуткай зарадкі на ўражлівыя 62%.
2. Сектар аднаўляльных крыніц энергіі: У фотаэлектрычных электрастанцыях інвертары на аснове 12-цалевых падложак з карбіду крэмнію не толькі маюць меншы форм-фактар, але і дасягаюць эфектыўнасці пераўтварэння, якая перавышае 99%. Асабліва ў сцэнарах размеркаванай вытворчасці такая высокая эфектыўнасць прыводзіць да штогадовай эканоміі соцень тысяч юаняў на стратах электраэнергіі для аператараў.
3. Прамысловая аўтаматызацыя: пераўтваральнікі частаты, якія выкарыстоўваюць 12-цалевыя падложкі, дэманструюць выдатную прадукцыйнасць у прамысловых робатах, станках з ЧПУ і іншым абсталяванні. Іх высокачастотныя характарыстыкі пераключэння паляпшаюць хуткасць рэакцыі рухавіка на 30%, адначасова зніжаючы электрамагнітныя перашкоды да адной траціны ў параўнанні з традыцыйнымі рашэннямі.
4. Інавацыі ў бытавой электроніцы: Тэхналогіі хуткай зарадкі смартфонаў наступнага пакалення пачалі выкарыстоўваць 12-цалевыя падложкі з карбіду крэмнію. Прагназуецца, што прылады хуткай зарадкі магутнасцю больш за 65 Вт цалкам пяройдуць на рашэнні з карбіду крэмнію, прычым 12-цалевыя падложкі стануць аптымальным выбарам з пункту гледжання кошту і якасці.

Індывідуальныя паслугі XKH для 12-цалёвай падкладкі з карбіду крэмнію

Каб задаволіць канкрэтныя патрабаванні да 12-цалевых SiC-падкладак (12-цалевых падкладак з карбіду крэмнію), XKH прапануе комплексную сэрвісную падтрымку:
1. Налада таўшчыні:
Мы прапануем 12-цалевыя падкладкі рознай таўшчыні, у тым ліку 725 мкм, для задавальнення патрэб розных ужыванняў.
2. Канцэнтрацыя допінгу:
Наша вытворчасць падтрымлівае розныя тыпы праводнасці, у тым ліку падложкі n-тыпу і p-тыпу, з дакладным кантролем удзельнага супраціўлення ў дыяпазоне 0,01-0,02 Ом·см.
3. Паслугі тэсціравання:
Маючы поўнае абсталяванне для тэставання на ўзроўні пласцін, мы прадастаўляем поўныя справаздачы аб праверках.
XKH разумее, што кожны кліент мае унікальныя патрабаванні да 12-цалевых падложак з карбіду крэмнію. Таму мы прапануем гнуткія мадэлі дзелавога супрацоўніцтва, каб забяспечыць найбольш канкурэнтаздольныя рашэнні, няхай гэта будзе:
· Узоры даследаванняў і распрацовак
· Закупкі аб'ёмнай прадукцыі
Нашы індывідуальныя паслугі гарантуюць, што мы можам задаволіць вашыя канкрэтныя тэхнічныя і вытворчыя патрэбы ў 12-цалевых падложках з карбіду крэмнію.