8-цалевы 200-міліметровы 4H-N SiC вафельны манекен, які праводзіць даследчы клас

8-цалевы 200 мм 4H-N SiC вафельны манекен даследчага класа.

Кароткае апісанне:

Па меры развіцця транспартных, энергетычных і прамысловых рынкаў попыт на надзейную, высокапрадукцыйную сілавую электроніку працягвае расці.Каб задаволіць патрэбы ў павышэнні прадукцыйнасці паўправаднікоў, вытворцы прылад шукаюць шырокапалосныя паўправадніковыя матэрыялы, такія як наш асартымент карбіду крэмнію 4H SiC Prime Grade 4H n-тыпу (SiC).

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Дзякуючы сваім унікальным фізічным і электронным уласцівасцям, 200-міліметровы паўправадніковы матэрыял SiC пласцін выкарыстоўваецца для стварэння высокапрадукцыйных, высокатэмпературных, радыяцыйна-ўстойлівых і высокачашчынных электронных прылад.Цана на 8-цалевую падкладку SiC паступова зніжаецца па меры развіцця тэхналогіі і росту попыту.Апошнія тэхналагічныя распрацоўкі прывялі да маштабнай вытворчасці 200-міліметровых SiC пласцін.Асноўныя перавагі паўправадніковых матэрыялаў для пласцін SiC у параўнанні з пласцінамі Si і GaAs: напружанасць электрычнага поля 4H-SiC пры лавінным прабоі больш чым на парадак перавышае адпаведныя значэнні для Si і GaAs.Гэта прыводзіць да значнага зніжэння ўдзельнага супраціву Рона.Нізкае ўдзельнае супраціўленне ў адкрытым стане ў спалучэнні з высокай шчыльнасцю току і цеплаправоднасцю дазваляе выкарыстоўваць вельмі маленькія плашкі для сілавых прылад.Высокая цеплаправоднасць SiC зніжае цеплавое супраціў чыпа.Электронныя ўласцівасці прылад на аснове пласцін SiC вельмі стабільныя ў часе і тэмпературы, што забяспечвае высокую надзейнасць вырабаў.Карбід крэмнія надзвычай устойлівы да жорсткага выпраменьвання, што не пагаршае электронныя ўласцівасці чыпа.Высокая лімітавая рабочая тэмпература крышталя (больш за 6000С) дазваляе ствараць высоканадзейныя прылады для жорсткіх умоў эксплуатацыі і спецыяльнага прымянення.У цяперашні час мы можам стабільна і бесперапынна пастаўляць невялікія партыі пласцін 200 мм SiC і мець некаторыя запасы на складзе.

Спецыфікацыя

Нумар	Пункт	Адзінка	Вытворчасць	Даследаванні	манекен
1. Параметры
1.1	політып	--	4H	4H	4H
1.2	арыентацыя паверхні	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Электрычны параметр
2.1	допант	--	Азот п-тыпу	Азот п-тыпу	Азот п-тыпу
2.2	удзельнае супраціўленне	Ом ·см	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Механічны параметр
3.1	дыяметр	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	таўшчыня	мкм	500±25	500±25	500±25
3.3	Арыентацыя выемкі	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Глыбіня надрэзу	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	мкм	≤5 (10 мм * 10 мм)	≤5 (10 мм * 10 мм)	≤10 (10 мм * 10 мм)
3.6	TTV	мкм	≤10	≤10	≤15
3.7	Лук	мкм	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Дэфармацыя	мкм	≤30	≤50	≤70
3.9	АСМ	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Будова
4.1	шчыльнасць микротрубки	эа/см2	≤2	≤10	≤50
4.2	ўтрыманне металу	атамаў/см2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	ТСД	эа/см2	≤500	≤1000	NA
4.4	БЛД	эа/см2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	эа/см2	≤7000	≤10000	NA
5. Станоўчая якасць
5.1	пярэдні	--	Si	Si	Si
5.2	аздабленне паверхні	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	часціца	шт./вафля	≤100 (памер ≥0,3 мкм)	NA	NA
5.4	драпаць	шт./вафля	≤5, агульная даўжыня ≤200 мм	NA	NA
5.5	край сколы / водступы / расколіны / плямы / забруджвання	--	Няма	Няма	NA
5.6	Политипные вобласці	--	Няма	Плошча ≤10%	Плошча ≤30%
5.7	фасадная разметка	--	Няма	Няма	Няма
6. Якасць спіны
6.1	задняя аздабленне	--	З-асабовы дэпутат	З-асабовы дэпутат	З-асабовы дэпутат
6.2	драпаць	mm	NA	NA	NA
6.3	Дэфекты краю спіны сколы/водступы	--	Няма	Няма	NA
6.4	Шурпатасць спіны	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Разметка спіны	--	Выемка	Выемка	Выемка
7. Край
7.1	краю	--	Фаска	Фаска	Фаска
8. Пакет
8.1	ўпакоўка	--	Epi-ready з вакуумам ўпакоўка	Epi-ready з вакуумам ўпакоўка	Epi-ready з вакуумам ўпакоўка
8.2	ўпакоўка	--	Мультывафельны касетная ўпакоўка	Мультывафельны касетная ўпакоўка	Мультывафельны касетная ўпакоўка