Сістэма лазернай рэзкі з водным навядзеннем Microjet для складаных матэрыялаў

Сістэма лазернай рэзкі з водным навядзеннем Microjet для перадавых матэрыялаў. Выява.

Кароткае апісанне:

Агляд:

Па меры таго, як галіны прамысловасці рухаюцца ў бок больш дасканалых паўправаднікоў і шматфункцыянальных матэрыялаў, дакладныя, але мяккія рашэнні для апрацоўкі становяцца крытычна важнымі. Гэтая сістэма лазернай апрацоўкі з мікраструменем пад вадой распрацавана спецыяльна для такіх задач, спалучаючы цвёрдацельную лазерную тэхналогію Nd:YAG з мікраструменем пад высокім ціскам, падаючы энергію з надзвычайнай дакладнасцю і мінімальным цеплавым напружаннем.

Падтрымліваючы даўжыні хваль 532 нм і 1064 нм з канфігурацыямі магутнасці 50 Вт, 100 Вт або 200 Вт, гэтая сістэма з'яўляецца прарыўным рашэннем для вытворцаў, якія працуюць з такімі матэрыяламі, як SiC, GaN, алмаз і керамічныя кампазіты. Яна асабліва добра падыходзіць для вытворчых задач у электроніцы, аэракасмічнай прамысловасці, оптаэлектроніцы і сектарах чыстай энергіі.

Дашліце нам ліст

Асаблівасці

Асноўныя перавагі

1. Непараўнальная канцэнтрацыя энергіі праз кіраўніцтва вадой
Выкарыстоўваючы дробна нагнетаемую вадзяную струмень у якасці лазернага хвалявода, сістэма ліквідуе перашкоды паветра і забяспечвае поўную факусоўку лазера. У выніку атрымліваюцца звышвузкія шырыні разрэзу — усяго 20 мкм — з вострымі, чыстымі краямі.

2. Мінімальны цеплавы след
Тэрмарэгуляванне сістэмы ў рэжыме рэальнага часу гарантуе, што зона цеплавога ўздзеяння ніколі не перавышае 5 мкм, што вельмі важна для захавання характарыстык матэрыялу і прадухілення мікратрэшчыны.

3. Шырокая сумяшчальнасць матэрыялаў
Двайны выхадны сігнал (532 нм/1064 нм) забяспечвае палепшаную наладу паглынання, што робіць прыладу адаптаванай да розных падкладак, ад аптычна празрыстых крышталяў да непразрыстай керамікі.

4. Высокахуткаснае, высокадакладнае кіраванне рухам
Дзякуючы опцыям для лінейных і прамых прывадных рухавікоў сістэма задавальняе патрэбы ў высокай прадукцыйнасці без шкоды для дакладнасці. Пяцівосевы рух дадаткова дазваляе ствараць складаныя шаблоны і выконваць шматнакіраваныя разрэзы.

5. Модульны і маштабуемы дызайн
Карыстальнікі могуць адаптаваць канфігурацыі сістэмы да патрабаванняў прыкладання — ад стварэння прататыпаў у лабараторных умовах да разгортвання ў вытворчых маштабах, што робіць яе прыдатнай для даследаванняў і распрацовак, а таксама для прамысловасці.

Сферы прымянення

Паўправаднікі трэцяга пакалення:
Ідэальна падыходзіць для пласцін SiC і GaN, сістэма выконвае нарэзку кубікамі, траншэй і рэзку з выключнай цэласнасцю краёў.

Апрацоўка алмазаў і аксідных паўправаднікоў:
Выкарыстоўваецца для рэзкі і свідравання высокацвёрдых матэрыялаў, такіх як монакрышталічны алмаз і Ga₂O₃, без карбанізацыі або тэрмічнай дэфармацыі.

Пашыраныя аэракасмічныя кампаненты:
Падтрымлівае структурнае фармаванне высокатрывалых керамічных кампазітаў і суперсплаваў для рэактыўных рухавікоў і кампанентаў спадарожнікаў.

Фотаэлектрычныя і керамічныя падкладкі:
Забяспечвае рэзку тонкіх пласцін і падложак LTCC без задзірын, у тым ліку фрэзераванне скразных адтулін і паз для міжзлучэнняў.

Сцынтылятары і аптычныя кампаненты:
Захоўвае гладкасць паверхні і прапусканне святла ў далікатных аптычных матэрыялах, такіх як Ce:YAG, LSO і іншых.

Спецыфікацыя

Асаблівасць	Спецыфікацыя
Лазерная крыніца	DPSS Nd:YAG
Параметры даўжыні хвалі	532 нм / 1064 нм
Узроўні магутнасці	50 / 100 / 200 Вт
Дакладнасць	±5 мкм
Шырыня рэзкі	Усяго 20 мкм
Зона цеплавога ўздзеяння	≤5 мкм
Тып руху	Лінейны / прамы прывад
Падтрымліваемыя матэрыялы	SiC, GaN, алмаз, Ga₂O₃ і г.д.

Чаму варта выбраць гэтую сістэму?

● Выключае тыповыя праблемы лазернай апрацоўкі, такія як тэрмічнае расколінаванне і сколы па краях
● Паляпшае выхад і кансістэнцыю для дарагіх матэрыялаў
● Адаптуецца як для пілотнага, так і для прамысловага выкарыстання
● Перспектыўная платформа для развіцця матэрыялазнаўства

Пытанні і адказы

Пытанне 1: Якія матэрыялы можа апрацоўваць гэтая сістэма?
A: Сістэма спецыяльна распрацавана для цвёрдых і далікатных высокакаштоўных матэрыялаў. Яна можа эфектыўна апрацоўваць карбід крэмнію (SiC), нітрыд галію (GaN), алмаз, аксід галію (Ga₂O₃), падложкі LTCC, аэракасмічныя кампазіты, фотаэлектрычныя пласціны і крышталі сцынтылятараў, такія як Ce:YAG або LSO.

Пытанне 2: Як працуе тэхналогія лазернага навядзення пад ваду?
A: Ён выкарыстоўвае мікраструмень вады пад высокім ціскам для накіравання лазернага прамяня праз поўнае ўнутранае адлюстраванне, эфектыўна накіроўваючы лазерную энергію з мінімальным рассейваннем. Гэта забяспечвае звышточную факусоўку, нізкую цеплавую нагрузку і дакладныя разрэзы з шырынёй лініі да 20 мкм.

Пытанне 3: Якія даступныя канфігурацыі магутнасці лазера?
A: Кліенты могуць выбраць лазерныя магутнасці 50 Вт, 100 Вт і 200 Вт у залежнасці ад хуткасці апрацоўкі і патрэбаў у раздзяляльнай здольнасці. Усе варыянты забяспечваюць высокую стабільнасць і паўтаральнасць прамяня.