Печ для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію Тэмпература сістэмы вырошчвання зліткаў монакрышталічнага крэмнію да 2100 ℃

Кароткае апісанне:

Печ для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію з'яўляецца ключавым абсталяваннем для вытворчасці стрыжняў з монакрышталічнага крэмнію высокай чысціні, якія шырока выкарыстоўваюцца ў паўправадніковай і фотаэлектрычнай прамысловасці. Монакрышталічны крэмній з'яўляецца асноўным матэрыялам для вытворчасці інтэгральных схем, сонечных батарэй і іншых электронных прылад. Печы для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію пераўтвараюць сыравіну з полікрышталічнага крэмнію ў высакаякасныя стрыжні з монакрышталічнага крэмнію з дапамогай такіх метадаў, як Чахральскі (CZ) Чахральскі або метад плаваючай зоны (FZ).

Асноўная функцыя: награванне сыравіны з полісілікону да расплаўленага стану, кіраванне і кантроль росту крышталяў праз затраўныя крышталі з адукацыяй монакрышталічных крэмніевых стрыжняў з пэўнай арыентацыяй і памерам крышталяў.

Асноўныя кампаненты:
Сістэма ацяплення: забяспечвае высокую тэмпературу асяроддзя, звычайна з выкарыстаннем графітавых абагравальнікаў або высокачашчыннага індукцыйнага нагрэву.

Тыгель: выкарыстоўваецца для ўтрымання расплаўленага крэмнію, звычайна зробленага з кварца або графіту.

Сістэма пад'ёму: кантралюйце хуткасць кручэння і ўздыму затравочнага крышталя, каб забяспечыць раўнамерны рост крышталя.

Сістэма кантролю атмасферы: расплаў абаронены ад забруджвання інэртнымі газамі, такімі як аргон.

Сістэма астуджэння: кантралюйце хуткасць астуджэння крышталя, каб паменшыць цеплавую нагрузку.

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Асноўныя характарыстыкі печы для росту монакрышталічнага крэмнію

(1) Высокая дакладнасць кантролю
Кантроль тэмпературы: Дакладна кантралюйце тэмпературу нагрэву (тэмпература плаўлення крэмнія складае каля 1414°C), каб забяспечыць стабільнасць расплаву.
Кантроль хуткасці ўздыму: хуткасць ўздыму затравочнага крышталя рэгулюецца дакладным рухавіком (звычайна 0,5-2 мм/мін), які ўплывае на дыяметр і якасць крышталя.
Рэгуляванне хуткасці кручэння: адрэгулюйце хуткасць кручэння затравы і тыгля, каб забяспечыць раўнамерны рост крышталяў.

(2) рост высокай якасці крышталяў
Нізкая шчыльнасць дэфектаў: шляхам аптымізацыі параметраў працэсу можна вырасціць монакрышталічны крэмніевы стрыжань з нізкім узроўнем дэфектаў і высокай чысцінёй.
Вялікія крышталі: стрыжні з монакрышталічнага крэмнію дыяметрам да 12 цаляў (300 мм) можна вырошчваць для задавальнення патрэб паўправадніковай прамысловасці.

(3) Эфектыўная вытворчасць
Аўтаматызаваная праца: сучасныя печы для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію абсталяваны аўтаматызаванымі сістэмамі кіравання для скарачэння ручнога ўмяшання і павышэння эфектыўнасці вытворчасці.
Энергаэфектыўны дызайн: выкарыстоўвайце эфектыўныя сістэмы ацяплення і астуджэння, каб паменшыць спажыванне энергіі.

(4) Універсальнасць
Падыходзіць для розных працэсаў: падтрымлівае метад CZ, метад FZ і іншыя тэхналогіі росту крышталяў.
Сумяшчальнасць з рознымі матэрыяламі: у дадатак да монакрышталічнага крэмнію, ён таксама можа быць выкарыстаны для вырошчвання іншых паўправадніковых матэрыялаў (такіх як германій, арсенід галію).

Асноўныя вобласці прымянення печы для росту монакрышталічнага крэмнію

(1) Паўправадніковая прамысловасць
Вытворчасць інтэгральных схем: монакрышталічны крэмній з'яўляецца асноўным матэрыялам для вытворчасці працэсараў, памяці і іншых інтэгральных схем.
Прылада харчавання: выкарыстоўваецца для вытворчасці MOSFET, IGBT і іншых сілавых паўправадніковых прылад.

(2) Фотаэлектрычная прамысловасць
Сонечныя батарэі: монакрышталічны крэмній з'яўляецца асноўным матэрыялам высокаэфектыўных сонечных батарэй і шырока выкарыстоўваецца ў фотаэлектрычнай вытворчасці энергіі.
Фотаэлектрычныя модулі: выкарыстоўваюцца для вытворчасці фотаэлектрычных модуляў з монакрышталічнага крэмнію для павышэння эфектыўнасці фотаэлектрычнага пераўтварэння.

(3) Навуковыя даследаванні
Даследаванне матэрыялаў: выкарыстоўваецца для вывучэння фізічных і хімічных уласцівасцей монакрышталічнага крэмнію і распрацоўкі новых паўправадніковых матэрыялаў.
Аптымізацыя працэсаў: Падтрымка інавацый і аптымізацыі працэсаў росту крышталяў.

(4) Іншыя электронныя прылады
Датчыкі: выкарыстоўваюцца для вытворчасці высокадакладных датчыкаў, такіх як датчыкі ціску і тэмпературы.
Оптаэлектронныя прылады: выкарыстоўваюцца для вытворчасці лазераў і фотадэтэктараў.

XKH забяспечвае абсталяванне і паслугі для печаў для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію

XKH факусуюць на распрацоўцы і вытворчасці абсталявання для печаў для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію, аказваючы наступныя паслугі:

Спецыялізаванае абсталяванне: XKH забяспечвае печы для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію розных спецыфікацый і канфігурацый у адпаведнасці з патрабаваннямі заказчыка для падтрымкі розных працэсаў вырошчвання крышталяў.

Тэхнічная падтрымка: XKH прадастаўляе кліентам поўную падтрымку працэсаў ад устаноўкі абсталявання і аптымізацыі працэсаў да тэхнічнага кіраўніцтва па росту крышталяў.

Паслугі па навучанні: XKH забяспечвае аператыўнае навучанне і тэхнічнае навучанне кліентаў для забеспячэння эфектыўнай працы абсталявання.

Пасляпродажнае абслугоўванне: XKH забяспечвае хуткае пасляпродажнае абслугоўванне і абслугоўванне абсталявання для забеспячэння бесперапыннасці вытворчасці кліентаў.

Паслугі па мадэрнізацыі: XKH прадастаўляе паслугі па мадэрнізацыі і трансфармацыі абсталявання ў адпаведнасці з патрабаваннямі заказчыка для павышэння эфектыўнасці вытворчасці і якасці крышталя.

Печы для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію з'яўляюцца асноўным абсталяваннем паўправадніковай і фотаэлектрычнай прамысловасці, забяспечваючы высокадакладны кантроль, высакаякасны рост крышталяў і эфектыўную вытворчасць. Ён шырока выкарыстоўваецца ў галіне інтэгральных схем, сонечных батарэй, навуковых даследаванняў і электронных прылад. XKH забяспечвае перадавое абсталяванне для вырошчвання монакрышталічнага крэмнію і поўны спектр паслуг для падтрымкі кліентаў у дасягненні высокай якасці вытворчасці стрыжня з монакрышталічнага крэмнію, каб дапамагчы развіццю сумежных галін.