26-га Power Cube Semi абвясціла аб паспяховай распрацоўцы першага ў Паўднёвай Карэі 2300V SiC (карбіду крэмнію) паўправадніка MOSFET.
У параўнанні з існуючымі паўправаднікамі на аснове Si (крэмнія), SiC (карбід крэмнія) можа вытрымліваць больш высокія напружання, таму яго называюць прыладай наступнага пакалення, якая вядзе будучыню сілавых паўправаднікоў.Ён з'яўляецца найважнейшым кампанентам, неабходным для ўкаранення перадавых тэхналогій, такіх як распаўсюджванне электрамабіляў і пашырэнне цэнтраў апрацоўкі дадзеных, якія кіруюцца штучным інтэлектам.
Power Cube Semi - гэта кампанія без фабрык, якая распрацоўвае сілавыя паўправадніковыя прылады ў трох асноўных катэгорыях: SiC (карбід крэмнію), Si (крэмній) і Ga2O3 (аксід галію).Нядаўна кампанія ўжыла і прадала дыёды з бар'ерам Шоткі высокай ёмістасці (SBD) глабальнай кампаніі па вытворчасці электрамабіляў у Кітаі, атрымаўшы прызнанне сваёй канструкцыі і тэхналогіі паўправаднікоў.
Выпуск 2300V SiC MOSFET заслугоўвае ўвагі як першая такая распрацоўка ў Паўднёвай Карэі.Infineon, глабальная сілавая паўправадніковая кампанія, якая базуецца ў Германіі, таксама абвясціла аб запуску свайго прадукту 2000 В у сакавіку, але без лінейкі прадуктаў 2300 В.
МАП-транзістар CoolSiC на 2000 В Infineon, які выкарыстоўвае пакет TO-247PLUS-4-HCC, задавальняе попыт распрацоўнікаў на павышаную шчыльнасць магутнасці, забяспечваючы надзейнасць сістэмы нават пры жорсткіх умовах высокага напружання і частаты пераключэння.
CoolSiC MOSFET забяспечвае больш высокае напружанне злучэння пастаяннага току, дазваляючы павялічыць магутнасць без павелічэння току.Гэта першая на рынку дыскрэтная прылада з карбіду крэмнію з напругай прабоя 2000 В, у якой выкарыстоўваецца корпус TO-247PLUS-4-HCC з даўжынёй шляху ўцечкі 14 мм і зазорам 5,4 мм.Гэтыя прылады адрозніваюцца нізкімі стратамі пры пераключэнні і падыходзяць для такіх прыкладанняў, як сонечныя інвертары, сістэмы захоўвання энергіі і зарадкі электрамабіляў.
Серыя прадуктаў CoolSiC MOSFET 2000V падыходзіць для сістэм шыны пастаяннага току высокага напружання да 1500 В пастаяннага току.У параўнанні з SiC MOSFET 1700 В, гэта прылада забяспечвае дастатковы запас па перанапружанні для сістэм пастаяннага току 1500 В.CoolSiC MOSFET прапануе парогавае напружанне 4,5 В і абсталяваны трывалымі корпуснымі дыёдамі для жорсткай камутацыі.Дзякуючы тэхналогіі злучэння .XT гэтыя кампаненты забяспечваюць выдатныя цеплавыя характарыстыкі і моцную вільгацеўстойлівасць.
У дадатак да MOSFET 2000V CoolSiC, Infineon неўзабаве выпусціць дадатковыя дыёды CoolSiC у 4-кантактным корпусе TO-247PLUS і TO-247-2 у трэцім квартале 2024 года і ў апошнім квартале 2024 года адпаведна.Гэтыя дыёды асабліва падыходзяць для прымянення сонечных батарэй.Таксама даступныя адпаведныя камбінацыі прадуктаў драйвера варот.
Серыя прадуктаў CoolSiC MOSFET 2000V цяпер даступная на рынку.Акрамя таго, Infineon прапануе прыдатныя ацэначныя платы: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Распрацоўшчыкі могуць выкарыстоўваць гэтую плату як дакладную агульную тэставую платформу для ацэнкі ўсіх MOSFET і дыёдаў CoolSiC з напругай 2000 В, а таксама кампактнага аднаканальнага ізаляцыйнага драйвера EiceDRIVER серыі прадуктаў 1ED31xx праз двухімпульсную або бесперапынную ШІМ працу.
Гун Шын Су, галоўны тэхналагічны дырэктар Power Cube Semi, заявіў: «Мы змаглі пашырыць наш існуючы вопыт у распрацоўцы і масавай вытворчасці 1700 В SiC MOSFET да 2300 В.
Час публікацыі: 8 красавіка 2024 г