Крэмній на ізалятарнай падкладцы SOI трохслаёвая пласціна для мікраэлектронікі і радыёчастот

Крэмній-на-ізалятарнай падкладцы SOI трохслойная пласціна для мікраэлектронікі і радыёчастот Прадстаўленая выява

Кароткае апісанне:

SOI поўная назва Silicon On Insulator, гэта сэнс структуры крэмніевага транзістара на вяршыні ізалятара, прынцып паміж крамянёвым транзістарам, даданнем ізалятарнага матэрыялу, можа зрабіць паразітную ёмістасць паміж імі, чым першапачатковая, менш чым у два разы.

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Прадстаўленне вафельнай скрынкі

Прадстаўляем нашу ўдасканаленую пласціну з крэмніям на ізалятары (SOI), старанна распрацаваную з трох розных слаёў, якая здзяйсняе рэвалюцыю ў мікраэлектроніцы і радыёчастотных (РЧ) прылажэннях. Гэтая інавацыйная падкладка спалучае ў сабе верхні крэмніевы пласт, ізаляцыйны аксідны пласт і ніжнюю крамянёвую падкладку для забеспячэння неперасягненай прадукцыйнасці і ўніверсальнасці.

Наша пласціна SOI, распрацаваная з улікам патрабаванняў сучаснай мікраэлектронікі, забяспечвае трывалую аснову для вырабу складаных інтэгральных схем (ІС) з найвышэйшай хуткасцю, энергаэфектыўнасцю і надзейнасцю. Верхні крэмніевы пласт забяспечвае бясшвоўную інтэграцыю складаных электронных кампанентаў, а ізаляцыйны аксідны пласт мінімізуе паразітную ёмістасць, паляпшаючы агульную прадукцыйнасць прылады.

У вобласці радыёчастотных прымянення наша SOI-пласціна вылучаецца сваёй нізкай паразітнай ёмістасцю, высокім напругай прабоя і выдатнымі ізаляцыйнымі ўласцівасцямі. Ідэальна падыходзіць для ВЧ-перамыкачоў, узмацняльнікаў, фільтраў і іншых ВЧ-кампанентаў, гэтая падкладка забяспечвае аптымальную прадукцыйнасць у сістэмах бесправадной сувязі, радыёлакацыйных сістэмах і інш.

Больш за тое, уласцівая радыяцыйная стойкасць нашай пласціны SOI робіць яе ідэальнай для аэракасмічнай і абароннай прамысловасці, дзе надзейнасць у цяжкіх умовах вельмі важная. Яго трывалая канструкцыя і выключныя характарыстыкі прадукцыйнасці гарантуюць стабільную працу нават у экстрэмальных умовах.

Асноўныя характарыстыкі:

Трохслаёвая архітэктура: верхні крэмніевы пласт, ізаляцыйны аксідны пласт і ніжняя крамянёвая падкладка.

Найвышэйшая прадукцыйнасць мікраэлектронікі: Дазваляе вырабляць перадавыя мікрасхемы з падвышанай хуткасцю і энергаэфектыўнасцю.

Выдатная радыёчастотная характарыстыка: нізкая паразітная ёмістасць, высокае напружанне прабоя і цудоўныя ізаляцыйныя ўласцівасці для радыёчастотных прылад.

Надзейнасць аэракасмічнага класа: Унутраная радыяцыйная стойкасць забяспечвае надзейнасць у суровых умовах.

Універсальнае прымяненне: Падыходзіць для шырокага спектру галін прамысловасці, уключаючы тэлекамунікацыі, аэракасмічную прамысловасць, абарону і інш.

Паспрабуйце наступнае пакаленне мікраэлектронікі і радыёчастотных тэхналогій з нашай удасканаленай пласцінай з крэмніем на ізалятары (SOI). Адкрыйце новыя магчымасці для інавацый і паспрыяйце прагрэсу ў сваіх прыкладаннях з дапамогай нашага найноўшага рашэння для падкладкі.