4H-N 8-цалевая пласціна падкладкі з карбіду крэмнію Даследчы клас таўшчыня 500 мкм

Кароткае апісанне:

Пласціны з карбіду крэмнію выкарыстоўваюцца ў электронных прыладах, такіх як сілавыя дыёды, MOSFET, магутныя мікрахвалевыя прылады і ВЧ-транзістары, забяспечваючы эфектыўнае пераўтварэнне энергіі і кіраванне энергіяй.Пласціны і падкладкі SiC таксама знаходзяць прымяненне ў аўтамабільнай электроніцы, аэракасмічных сістэмах і тэхналогіях аднаўляльных крыніц энергіі.

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Як вы выбіраеце пласціны з карбіду крэмнію і падкладкі з карбіду крэмнія?

Пры выбары пласцін і падкладак з карбіду крэмнію (SiC) трэба ўлічваць некалькі фактараў.Вось некаторыя важныя крытэрыі:

Тып матэрыялу: вызначце тып матэрыялу SiC, які падыходзіць для вашага прымянення, напрыклад, 4H-SiC або 6H-SiC.Найбольш часта выкарыстоўванай крышталічнай структурай з'яўляецца 4H-SiC.

Тып допінгу: вырашыце, ці патрэбна вам падкладка з карбіда карбіду з легіраванага ці нелегаванага матэрыялу.Распаўсюджанымі тыпамі допінгу з'яўляюцца N-тып (n-легіраваны) або P-тып (p-легіраваны), у залежнасці ад вашых канкрэтных патрабаванняў.

Якасць крышталя: Ацаніце якасць крышталя пласцін або падкладак SiC.Патрэбная якасць вызначаецца такімі параметрамі, як колькасць дэфектаў, крышталяграфічная арыентацыя і шурпатасць паверхні.

Дыяметр вафлі: выберыце адпаведны памер пласціны ў залежнасці ад прымянення.Звычайныя памеры ўключаюць 2 цалі, 3 цалі, 4 цалі і 6 цаляў.Чым больш дыяметр, тым большы выхад можна атрымаць з адной пласціны.

Таўшчыня: улічыце жаданую таўшчыню пласцін або падкладак SiC.Тыповыя варыянты таўшчыні вар'іруюцца ад некалькіх мікраметраў да некалькіх сотняў мікраметраў.

Арыентацыя: вызначце крышталаграфічную арыентацыю, якая адпавядае патрабаванням вашага прыкладання.Агульныя арыентацыі ўключаюць (0001) для 4H-SiC і (0001) або (0001̅) для 6H-SiC.

Аздабленне паверхні: ацаніце аздабленне паверхні SiC пласцін або падкладак.Паверхня павінна быць гладкай, паліраванай, без драпін і забруджванняў.

Рэпутацыя пастаўшчыка: выбірайце аўтарытэтнага пастаўшчыка з вялікім вопытам у вытворчасці высакаякасных SiC пласцін і падкладак.Улічвайце такія фактары, як вытворчыя магчымасці, кантроль якасці і водгукі кліентаў.

Кошт: улічвайце наступствы для кошту, уключаючы цану за пласціну або падкладку і любыя дадатковыя выдаткі на наладжванне.

Важна старанна ацаніць гэтыя фактары і пракансультавацца з галіновымі экспертамі або пастаўшчыкамі, каб пераканацца, што абраныя SiC пласціны і падкладкі адпавядаюць вашым канкрэтным патрабаванням прымянення.