Пласціна з дыяксіду крэмнія SiO2, таўшчыня, паліраваная, першакласная і выпрабавальная

Пласціна з дыяксіду крэмнія SiO2, тоўстая пласціна, паліраваная, першакласная і выпрабавальная

Кароткае апісанне:

Тэрмічнае акісленне з'яўляецца вынікам уздзеяння на крэмніевую пласціну камбінацыі акісляльнікаў і цяпла для стварэння пласта дыяксіду крэмнія (SiO2). Наша кампанія можа наладзіць шматкі аксіду крэмнія з рознымі параметрамі для кліентаў, з выдатнай якасцю;таўшчыня аксіднага пласта, кампактнасць, аднастайнасць і ўдзельнае супраціўленне арыентацыі крышталя выконваюцца ў адпаведнасці з нацыянальнымі стандартамі.

Дашліце нам ліст

Дэталь прадукту

Тэгі прадукту

Прадстаўленне вафельнай скрынкі

Прадукт	Пласціны з тэрмічнага аксіду (Si+SiO2).
Спосаб вытворчасці	LPCVD
Паліроўка паверхні	SSP/DSP
Дыяметр	2 цалі / 3 цалі / 4 цалі / 5 цаляў / 6 цаляў
Тып	Тып P / тып N
Таўшчыня акісляльнага пласта	100 нм ~ 1000 нм
Арыентацыя	<100> <111>
Удзельнае электрычнае супраціўленне	0,001-25000 (Ω•см)
Ужыванне	Выкарыстоўваецца для носьбіта ўзораў сінхратроннага выпраменьвання, PVD/CVD пакрыццяў у якасці падкладкі, узораў росту магнетроннага распылення, XRD, SEM,Атамна-сілавая, інфрачырвоная спектраскапія, флуарэсцэнтная спектраскапія і іншыя выпрабавальныя субстраты для аналізу, малекулярна-прамянёвыя эпітаксійныя субстраты для росту, рэнтгенаўскі аналіз крышталічных паўправаднікоў

Пласціны аксіду крэмнію - гэта плёнкі дыяксіду крэмнію, якія вырошчваюцца на паверхні крэмніевых пласцін з дапамогай кіслароду або вадзяной пары пры высокіх тэмпературах (800°C~1150°C) з выкарыстаннем працэсу тэрмічнага акіслення з выкарыстаннем трубчатага абсталявання пад атмасферным ціскам.Таўшчыня працэсу вагаецца ад 50 нанаметраў да 2 мікрон, тэмпература працэсу - да 1100 градусаў Цэльсія, метад росту дзеліцца на два віды "вільготны кісларод" і "сухі кісларод".Тэрмічны аксід - гэта "вырашчаны" аксідны пласт, які мае больш высокую аднастайнасць, лепшае ўшчыльненне і больш высокую дыэлектрычную трываласць, чым аксідныя пласты, нанесеныя CVD, што забяспечвае высокую якасць.

Сухое акісленне кіслародам

Крэмній рэагуе з кіслародам, і аксідны пласт пастаянна рухаецца да пласта падкладкі.Сухое акісленне неабходна праводзіць пры тэмпературах ад 850 да 1200°C з больш нізкай хуткасцю росту і можа выкарыстоўвацца для росту МОП-ізаляванага варота.Сухое акісленне пераважней мокрага, калі патрабуецца высакаякасны звыштонкі пласт аксіду крэмнію.Ёмістасць сухога акіслення: 15 нм ~ 300 нм.

2. Мокрае акісленне

Гэты метад выкарыстоўвае вадзяную пару для фарміравання аксіднага пласта, уваходзячы ў трубу печы ва ўмовах высокай тэмпературы.Ушчыльненне пры вільготным акісленні кіслародам крыху горшае, чым пры сухім акісленні кіслародам, але ў параўнанні з сухім акісленнем кіслародам яго перавага заключаецца ў тым, што ён мае больш высокую хуткасць росту, прыдатную для росту плёнкі больш чым на 500 нм.Ёмістасць вільготнага акіслення: 500 нм ~ 2 мкм.

Труба печы для акіслення пры атмасферным ціску AEMD - гэта чэшская гарызантальная труба печы, якая характарызуецца высокай стабільнасцю працэсу, добрай аднастайнасцю плёнкі і выдатным кантролем часціц.Труба печы з аксіду крэмнію можа апрацоўваць да 50 пласцін на трубу з выдатнай аднастайнасцю ўнутры і паміж пласцінамі.